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型号 SI5402BDC-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
SI5402BDC-T1-GE3 PDF
代理商 SI5402BDC-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 35 毫欧 @ 4.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
功率 - 最大 1.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装 1206-8 ChipFET?
包装 标准包装
其它名称 SI5402BDC-T1-GE3DKR
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